网站首页 > 产品> SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3TR-ND

型号 :
SI7983DP-T1-E3
制造商 :
Vishay Siliconix
批号 :
-
简介 :
MOSFET DUAL P-CH 20V 8-SOIC
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 600µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 74nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 17 毫欧 @ 12A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
功率 - 最大值 1.4W
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 7.7A
系列 TrenchFET®
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