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SI3909DV-T1-E3-ND
- 型号 :
- SI3909DV-T1-E3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
- PDF :
- 库存 :
- 0
- 货期 :
- -
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 500mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 200 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率 - 最大值 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | - |
| 系列 | TrenchFET® |
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