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SI4972DY-T1-GE3-ND

型号 :
SI4972DY-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
批号 :
-
简介 :
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1080pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 28nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 14.5 毫欧 @ 6A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 3.1W,2.5W
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 10.8A,7.2A
系列 TrenchFET®
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