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SP8J4TBDKR-ND

型号 :
SP8J4TB
制造商 :
Rohm Semiconductor
批号 :
-
简介 :
MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
PDF :
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库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 190pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 2.4nC @ 5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 2A,10V
供应商器件封装 8-SOIC N
功率 - 最大值 2W
包装 Digi-Reel®
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 2A
系列 -
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