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BSS8402DWDITR-ND

型号 :
BSS8402DW-7
制造商 :
Diodes Inc
批号 :
-
简介 :
MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 50pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) -
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
供应商器件封装 SOT-363
功率 - 最大值 200mW
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压 (Vdss) 60V,50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 115mA,130mA
系列 -
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