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NTHD2102PT1GOSTR-ND

型号 :
NTHD2102PT1G
制造商 :
ON Semiconductor
批号 :
-
简介 :
MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 715pF @ 6.4V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 16nC @ 2.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 58 毫欧 @ 3.4A,4.5V
供应商器件封装 ChipFET™
功率 - 最大值 1.1W
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
漏源极电压 (Vdss) 8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 3.4A
系列 -
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