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IXSA10N60B2D1-ND

型号 :
IXSA10N60B2D1
制造商 :
IXYS
批号 :
-
简介 :
IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO263
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
Gate Charge 17nC
IGBT 类型 PT
Switching Energy 430µJ(关)
Td (on/off) A 25°C 30ns/180ns
Test Condition -
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.5V @ 15V,10A
供应商器件封装 TO-263
功率 - 最大值 100W
包装 散装
反向恢复时间 (trr) 25ns
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20A
系列 -
输入类型 标准
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