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HGT1S14N36G3VLS-ND

型号 :
HGT1S14N36G3VLS
制造商 :
Fairchild Semiconductor
批号 :
-
简介 :
IGBT ESD N-CHAN 380V TO-263AB
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Gate Charge 24nC
IGBT 类型 -
Switching Energy -
Td (on/off) A 25°C -
Test Condition -
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.2V @ 5V,14A
供应商器件封装 TO-263AB
功率 - 最大值 100W
包装 管件
反向恢复时间 (trr) -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
电压 - 集射极击穿(最大值) 390V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 18A
系列 -
输入类型 逻辑
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