网站首页 > 产品> NGB8202NT4G

NGB8202NT4GOSTR-ND

型号 :
NGB8202NT4G
制造商 :
ON Semiconductor
批号 :
-
简介 :
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V D2PAK
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
Gate Charge -
IGBT 类型 -
Switching Energy -
Td (on/off) A 25°C -/5µs
Test Condition 300V,9A,1 千欧,5V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 1.9V @ 4.5V,20A
供应商器件封装 D2PAK
功率 - 最大值 150W
包装 带卷 (TR)
反向恢复时间 (trr) -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
电压 - 集射极击穿(最大值) 440V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20A
系列 -
输入类型 逻辑
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]