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NGB8207ANT4G-ND

型号 :
NGB8207ANT4G
制造商 :
ON Semiconductor
批号 :
-
简介 :
IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
Gate Charge -
IGBT 类型 -
Switching Energy -
Td (on/off) A 25°C -
Test Condition -
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.05V @ 4.5V,10A
供应商器件封装 D2PAK
功率 - 最大值 165W
包装 带卷 (TR)
反向恢复时间 (trr) -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
电压 - 集射极击穿(最大值) 365V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20A
系列 -
输入类型 逻辑
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