网站首页 > 产品> J112RLRAG

J112RLRAGOSTR-ND

型号 :
J112RLRAG
制造商 :
ON Semiconductor
批号 :
-
简介 :
TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
PDF :
PDF
库存 :
18000 
货期 :
-
数量 : 加入购物车
FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 1V @ 1µA
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) 5mA @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
供应商器件封装 TO-92-3
功率 - 最大值 350mW
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
漏极电流 (Id) - 最大值 -
漏源极电压 (Vdss) -
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 35V
电阻 - RDS(开) 50 欧姆
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]