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2SK3666-2-TB-E-ND
- 型号 :
- 2SK3666-2-TB-E
- 制造商 :
- ON Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- IC JFET N-CH 30V 10MA CP
- PDF :
- 库存 :
- 171000
- 货期 :
- -
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 180mV @ 1µA |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 600µA @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏极电流 (Id) - 最大值 | 10mA |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | - |
| 电阻 - RDS（开） | 200 欧姆 |
| 系列 | - |
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