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2SK545-11D-TB-E-ND
- 型号 :
- 2SK545-11D-TB-E
- 制造商 :
- ON Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET J-FET N-CH CP
- PDF :
- 库存 :
- 1059000
- 货期 :
- -
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 1.5V @ 1µA |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 60µA @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1.7pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率 - 最大值 | 125mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏极电流 (Id) - 最大值 | 1mA |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | - |
| 电阻 - RDS（开） | - |
| 系列 | - |
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