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SMUN5114DW1T1G-ND

型号 :
SMUN5114DW1T1G
制造商 :
ON Semiconductor
批号 :
-
简介 :
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
PDF :
PDF
库存 :
12000 
货期 :
-
数量 : 加入购物车
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
供应商器件封装 SOT-363
功率 - 最大值 187mW
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) 47k
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) 10k
系列 -
频率 - 跃迁 -
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