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FET 功能 | 标准 |
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FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 30mA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 40nF @ 25V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1440nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 8.6 毫欧 @ 145A,10V |
供应商器件封装 | Y3-DCB |
功率 - 最大值 | 1500W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | Y3-DCB |
漏源极电压 (Vdss) | 300V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 290A |
系列 | HiPerFET™ |
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