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| IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
|---|---|
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 不同 Vce 时的输入电容 (Cies) | 5345nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，75A |
| 供应商器件封装 | D1 |
| 功率 - 最大值 | 357W |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | D1 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 110A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 4mA |
| 系列 | - |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 单一 |
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| IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
|---|---|
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 不同 Vce 时的输入电容 (Cies) | 5345nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，75A |
| 供应商器件封装 | D1 |
| 功率 - 最大值 | 357W |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | D1 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 110A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 4mA |
| 系列 | - |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 单一 |