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IPD60R2K0C6TR-ND
- 型号 :
- IPD60R2K0C6
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
- PDF :
- 库存 :
- 2500
- 货期 :
- -
FET 功能 | 标准 |
---|---|
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 60µA |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 140pF @ 100V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 2 欧姆 @ 760mA,10V |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
功率 - 最大值 | 22.3W |
包装 | 带卷 (TR)可替代的包装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.4A |
系列 | CoolMOS™ |
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