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IPD60R2K0C6DKR-ND
- 型号 :
- IPD60R2K0C6
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
- PDF :
- 库存 :
- 4523
- 货期 :
- -
| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 60µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 140pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 2 欧姆 @ 760mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 功率 - 最大值 | 22.3W |
| 包装 | Digi-Reel®可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.4A |
| 系列 | CoolMOS™ |
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