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IPB80P03P4L-07-ND

型号 :
IPB80P03P4L-07
制造商 :
Infineon Technologies
批号 :
-
简介 :
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
没有库存
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 130µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 80nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.9 毫欧 @ 80A,10V
供应商器件封装 PG-TO263-3
功率 - 最大值 88W
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 80A
系列 OptiMOS™
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