网站首页 > 产品> FDC6310P

FDC6310PFSTR-ND

型号 :
FDC6310P
制造商 :
Fairchild Semiconductor
批号 :
-
简介 :
MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
PDF :
PDF
库存 :
3000 
货期 :
-
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 337pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 5.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 125 毫欧 @ 2.2A,4.5V
供应商器件封装 6-SSOT
功率 - 最大值 700mW
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 2.2A
系列 PowerTrench®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]