网站首页 > 产品> PMGD400UN,115

954-PMGD400UN115-CHP

型号 :
PMGD400UN,115
制造商 :
NXP Semiconductors
批号 :
-
简介 :
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
PDF :
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库存 :
3000 
货期 :
-
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 43pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 0.89nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 480 毫欧 @ 200mA,4.5V
供应商器件封装 6-TSSOP
功率 - 最大值 410mW
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 710mA
系列 TrenchMOS™
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