网站首页 > 产品> BUK9K35-60E,115

568-9901-2-ND

型号 :
BUK9K35-60E,115
制造商 :
NXP Semiconductors
批号 :
-
简介 :
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56D
PDF :
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库存 :
货期 :
-
没有库存
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1081pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14.2nC @ 10V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装 LFPAK56D
功率 - 最大值 38W
包装 带卷 (TR)可替代的包装
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT1205,8-LFPAK56
漏源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 22A
系列 TrenchMOS™
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