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SIB912DK-T1-GE3CT-ND
- 型号 :
- SIB912DK-T1-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 批号 :
- -
- 简介 :
- MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
- PDF :
- 库存 :
- 0
- 货期 :
- -
没有库存
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 95pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 216 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L 双 |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L 双 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.5A |
| 系列 | TrenchFET® |
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