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PMDT290UNE,115-ND

型号 :
PMDT290UNE,115
制造商 :
NXP Semiconductors
批号 :
-
简介 :
MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
PDF :
PDF
库存 :
货期 :
-
没有库存
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 0.95V @ 250µ:A
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 83pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 0.68nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
供应商器件封装 SOT-666
功率 - 最大值 330mW
包装 带卷 (TR)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 800mA
系列 -
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