网站首页 > 产品> PMWD15UN,518

568-2359-1-ND

型号 :
PMWD15UN,518
制造商 :
NXP Semiconductors
批号 :
-
简介 :
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
PDF :
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库存 :
货期 :
-
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1450pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 22.2nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 18.5 毫欧 @ 5A,4.5V
供应商器件封装 8-TSSOP
功率 - 最大值 4.2W
包装 剪切带 (CT)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
漏源极电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 11.6A
系列 TrenchMOS™
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