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HGT1S10N120BNSTCT-ND
- 型号 :
- HGT1S10N120BNST
- 制造商 :
- Fairchild Semiconductor
- 批号 :
- -
- 简介 :
- IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
- PDF :
- 库存 :
- 759
- 货期 :
- -
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
|---|---|
| Gate Charge | 100nC |
| IGBT 类型 | NPT |
| Switching Energy | 0.32mJ (开), 0.80mJ (关) |
| Td (on/off) A 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率 - 最大值 | 298W |
| 包装 | 剪切带 (CT)可替代的包装 |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 35A |
| 系列 | - |
| 输入类型 | 标准 |
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