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制造商 :

Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON Semiconductor
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功率 - 最大值 :

100mW 125mW 150mW 200mW 225mW 250mW 300mW 350mW
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供应商器件封装 :

3-CP SOT-23-3 SOT-23-3（TO-236） SuperSOT-3 TO-236AB 迷你型3-G1
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FET 类型 :

N 沟道 P 沟道
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漏源极电压 (Vdss) :

15V 25V 30V 40V
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不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) :

1.7pF @ 10V 10pF @ 5V 12pF @ 10V 14pF @ 15V（VGS） 14pF @ 20V 16pF @ 20V 3.5pF @ 5V 30pF @ 10V（VGS） 3pF @ 10V 4pF @ 10V 5pF @ 10V 5pF @ 15V 7pF @ 15V 8pF @ 10V（VGS） 9pF @ 10V
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不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) :

1.5mA @ 15V 10mA @ 15V 10mA @ 5V 12mA @ 10V 150µA @ 5V 15mA @ 20V 16mA @ 5V 1mA @ 10V 1mA @ 15V 2.5mA @ 10V 200µA @ 10V 20mA @ 15V 24mA @ 10V 25mA @ 20V 2mA @ 15V 30mA @ 15V 40mA @ 15V 4mA @ 10V 4mA @ 20V 50mA @ 20V 5mA @ 10V 5mA @ 20V 60µA @ 10V 600µA @ 10V 7.3mA @ 5V 80mA @ 15V 8mA @ 15V
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漏极电流 (Id) - 最大值 :

10mA 1mA 20mA 50mA
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不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） :

1.5V @ 1µA 1.5V @ 10µA 10V @ 1µA 180mV @ 1µA 1V @ 1µA 1V @ 10nA 1V @ 3nA 2.5V @ 0.5nA 200mV @ 100µA 2V @ 0.5nA 2V @ 1µA 2V @ 10nA 2V @ 1nA 300mV @ 100µA 300mV @ 10nA 3V @ 10nA 4V @ 0.5nA 4V @ 1µA 4V @ 1nA 500mV @ 10nA 500mV @ 1nA 5V @ 0.5nA 5V @ 10nA 600mV @ 1µA 6V @ 1µA 750mV @ 1µA 800mV @ 0.5nA 800mV @ 1µA 800mV @ 10nA
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电阻 - RDS（开） :

100 欧姆 12 欧姆 18 欧姆 200 欧姆 250 欧姆 30 欧姆 300 欧姆 40 欧姆 50 欧姆 60 欧姆 8 欧姆 85 欧姆
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重置
匹配的产品数量 : 42| 筛选条件 : JFET（结点场效应 包装 : 带卷 (TR) 封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

JFET（结点场效应

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