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收起 展开不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) :
18 毫欧 @ 85A,10V
19 毫欧 @ 500mA,10V
19 毫欧 @ 60A,10V
22 毫欧 @ 500mA,10V
24 毫欧 @ 70A,10V
33 毫欧 @ 45A,10V
33 毫欧 @ 500mA,10V
40 毫欧 @ 500mA,10V
45 毫欧 @ 500mA,10V
46 毫欧 @ 36.5A,10V
8.6 毫欧 @ 145A,10V
关闭
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) :
所有不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) :
1440nC @ 10V
185nC @ 10V
190nC @ 10V
195nC @ 10V
224nC @ 10V
258nC @ 10V
335nC @ 10V
360nC @ 10V
380nC @ 10V
425nC @ 10V
975nC @ 10V
关闭
FET
图片 | 型号 | 制造商 | 货期 | 批号 | 库存 | 购买 | |
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Microsemi Power Products Group | - |
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0 |
没有库存
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Microsemi Power Products Group | - |
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没有库存
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Microsemi Power Products Group | - |
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没有库存
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Microsemi Power Products Group | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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没有库存
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IXYS | - |
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